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  值得一提的是，为留念创刊40周年，TPEL特设了“前瞻展望论文”特刊。该特刊的遴选规范极为苛刻，通过层层评价，终究从全球学术界研讨人员及工业界首领提交的49篇高质量稿件中，遴选出11篇有代表性的重磅论文予以宣布。

  本文极具前瞻性地讨论了氮化镓（GaN）功率技能在电压等级打破与集成度扩展等维度的巨大未开发潜力。曩昔十年中，GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）已成为干流功率器材，尤其是在30-900 V规模内的消费电子、工业和轿车系统中取得了巨大的商业成功。但是，借用理查德·费曼的名言“底部还有很大的空间”，研讨团队指出现在的GaN功率电子技能“在底部和顶部都还有宽广的空间”。这不只体现在向更低电压（30 V）和更高电压（1 kV）范畴的两头拓宽，还包含从根底器材架构到单片集成的全面维度的立异。

  在低压使用端，传统的p-GaN栅极HEMT面对微缩约束，而新式器材架构（如GaN MOS-HEMT和鳍式架构）的引进，完成了低压功能的明显提高。这些立异为GaN在AI处理器供电、人形机器人以及激光雷达（LiDAR）等新式使用中的大规模遍及铺平了路途。在高压使用前沿，横向和纵向GaN器材均取得了重要打破，包含耐压逾越10 kV的横向GaN HEMT以及功能逾越SiC的1.2 kV级笔直GaN晶体管。这些高压器材展现出极大的使用远景，十分适合于电动轿车、电动笔直起降飞行器（eVTOL）、中压直流（MVDC）电源以及固态断路器等中心场景。

  图2：GaN器材在新式高密度电源系统中的中心使用暗示，包括数据中心AI处理器供电、高自由度人形机器人、电动轿车、以及混合动力电动笔直起降飞行器（eVTOL）。

  除了电压维度的扩展，GaN器材的横向架构也为单片集成供给了天然优势。最具革新性的立异之一是单片GaN双向开关（Bidirectional switch），它能够直接代替杂乱的背靠背单向器材装备，然后大幅简化沟通电源架构并提高系统功率。一起，GaN在极点环境下的杰出体现进一步拓宽了其使用鸿沟：无论是在面向未来量子核算系统、低于4 K的深低温（Deep-cryogenic）环境，仍是在面向航空航天电子、高达500 °C的高温环境中，GaN器材均展现出极高的可靠性与使用潜力。最终，为充沛开释器材在新式热、电和机械环境下的功能，研讨团队还系统讨论了先进封装技能的开展需求。

  该研讨为打破GaN功率电子技能的前沿边界供给了全新的视角，并为下一代使用中器材与电路设计的协同开展指明晰方向。

  表I: GaN 器材的新式使用、方针电压与电流规模、GaN 器材优势及要害应战概览.

  值得重视的是，6月25-27日，香港大学电气与核算机工程系正教授、先进半导体与集成电路中心副主任张宇昊受邀将到会在上海举行的“2026功率半导体器材与集成电路会议（CSPSD 2026)”，并带来《高低压皆有无限空间：氮化镓功率器材及使用的前沿展望》的主题陈述。到时将要点共享该陈述，陈述将打破传统的中压商业化视角，全方位讨论 GaN 功率技能在这些未进入范畴的巨大潜力。

  重要会议：为更好的推进国内功率半导体及集成电路学术及工业沟通，在第三代半导体工业技能立异战略联盟（CASA)指导下，中国科学院上海微系统与信息技能研讨所、极智半导体工业网和第三代半导体工业将于2026年6月25-27日在上海联合主办，“2026功率半导体器材与集成电路会议（CSPSD 2026)”。CSPSD2026作为国内功率半导体范畴的重要学术与工业沟通平台，会议设置“开幕大会+主题论坛+展览展现+观赏调查+益企跑”等方式，现在嘉宾陈述议题重磅揭晓，会议嘉宾阵型包括“产学研用”在内国家级科研院所专家、高校科研团队、头部企业首领三大中心集体，陈述议题更是掩盖从“根底研讨 - 技能打破 - 工业使用 - 未来趋势” 的全方位沟通系统，全力推进功率半导体与集成电路范畴的技能革新、学术沟通与工业协同开展，为我国半导体工业高质量立异晋级赋能助力。点击→回来搜狐，检查更加多